我们的服务
Our services
定制化生长PZT压电薄膜
批量SOI晶圆定制
MEMS技术、产线服务
非标高真空平台测试系统定制服务
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> 实现4、6、8寸硅晶圆、SOI晶圆上生长1-5um厚的PZT薄膜,可带上下电极
> 压电薄膜性能实现d31≥200pm/V,e31≥10C/m2,成膜均匀性±5%,应力可控
> 接受小批量定制4、6、8寸SOI片,价格合理供货快
> 顶硅厚度≥2um,背硅厚度≤725um,氧化层厚度≤3um,均可定制,TTV最小可达到1um
> 基于SOI传感器件的晶圆流片解决方案
> MEME微纳加工设备的进口代理,整体工艺路线的解决方案
> 可根据客户要求,非标定制系统整体解决方案
> 超低温,超高温,高真空自动化系统一站式解决