定制化生长PZT压电薄膜
1、实现4、6、8寸硅晶圆、SOI晶圆上生长1-5um厚的PZT薄膜，可带上下电极
2、压电薄膜性能实现d31≥200pm/V，e31≥15.8C/m2，成膜均匀性±5%，应力可控
